箭头向里是NMOS 电流流向是D->S 导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。一般使用NMOS作为下管使用，S极直接接地（电压为固定值0V），只需将G极电压Vgs达到大于一定的值就会导通；
箭头朝外是PMOS 电流流向是S->D 导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V（S电位比G电位高）。适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。一般使用PMOS作为上管，S极直接接电源VCC，S极电压固定，只需G极电压比S极低，Vgs小于一定的值就会导通。
开关电路
先简单说下原理：当MCU通过I/O口输出高电平时，即POWER_EN =3.3V（假设MCU供电为3.3V），则Q1 NMOS管VGS > 阈值电压，Q1的漏极和源极导通，由图可知Q1源极接地，故Q2栅极接地，故Q2 PMOS管VGS >